专利名称：

专利申请号：2022105724409

公布号：cn114914268a

申请日：2022.05.24 公开日：2022.08.16

申请人：湘能华磊光电股份有限公司

本发明提供了一种微尺寸led芯片结构，包括衬底和间隔设置在衬底上的多个微尺寸芯片结构；每个所述微尺寸芯片结构均包括外延片结构、支撑转移层、p电极和n电极。本发明又提供了一种制备所述的微尺寸led芯片结构的制备方法，包括：步骤s1、制备外延片结构；步骤s2、制备支撑转移层；步骤s3、制备n电极和p电极。本发明还提供了一种剥离所述微尺寸led芯片结构的剥离方法，包括步骤w1、形成切割缝隙；步骤w2、定向腐蚀；步骤w3、衬底剥离。本发明能够实现多个微尺寸芯片的批量转移，大大地降低了剥离转移时间和转移成本，显著地提高了生产效率。