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清华大学微电子所超纯水站产水用于超大规模集成电路(vlsi)的清洗工艺，其产水量为10m3/h(24 h运行)。超纯水站原水温度≥13 ℃，压力为0.2～0.5 mpa，原水水质见表1，产水水质(超滤出口)见表2。

1　工艺流程及设备选型

 

根据出水水质要求，采用过滤器、两级反渗透(ro)加edi装置的新工艺，其中edi装置为国内第一次使用。系统工艺流程如下：

 

原水→水箱→多介质过滤器→254 nm紫外线(uv)杀菌装置→一级ro装置→二级ro装置→中间水箱→edi装置→脱氧膜组装置→氮封纯水箱→185 nm除tocuv装置→抛光混床→超滤装置→用水点

 

该工艺设计与传统工艺的不同之处在于精处理工艺使用了edi装置。传统的混床离子交换再生时消耗大量酸碱，操作管理不便，劳动强度大且污染环境，而电渗析是一项新型膜法水处理技术，它处理含盐量为500～30000 mg/l的水时，比离子交换法经济。填充床电渗析又称电脱离子法(electrodeionization)，简称edi，它利用电渗析过程中的极化现象对离子交换填充床进行电化学再生，集中了电渗析和离子交换法的优点，克服了两者的弊端。

 

edi装置比传统di混床技术先进：(1)属于环保型，基本无化学废物排放；(2)可连续再生；(3)启动、运行和维护简单；(4)出水纯度高，其电阻率≥16.8 mΩ·cm；(5)回收率高，降低了sio2和toc指标，且不受入口水质波动的影响；(6)占地面积小；(7)性价比高；(8)无渗漏设计，组件更换容易，无须停机